Kioxia, nhà cung cấp NAND Flash lớn thứ ba thế giới, đang tăng tốc chiến lược mở rộng sang thị trường NAND thế hệ mới dành cho AI. Theo ZDNet, công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ 3D NAND thế hệ thứ 10 (BiCS 10) và dự kiến sẽ triển khai sản xuất hàng loạt các giải pháp PCI Express (PCIe) 6.0 và Universal Flash Storage (UFS) 5.0 vào cuối năm nay, phục vụ các trung tâm dữ liệu AI và các thiết bị AI xử lý trực tiếp trên thiết bị (on-device AI).

Theo TrendForce, trong quý I/2026, Kioxia chiếm 13,9% thị phần NAND Flash toàn cầu, đứng thứ ba sau Samsung Electronics với 31,6% và SK hynix với 17,6%.

BiCS 10 thúc đẩy lộ trình lưu trữ AI của Kioxia

Theo báo cáo, bộ nhớ NAND thế hệ thứ 10 của Kioxia sử dụng công nghệ xếp chồng 332 lớp. Dựa trên nền tảng này, công ty đã thương mại hóa ổ SSD doanh nghiệp CM10 (eSSD) dành cho trung tâm dữ liệu, hỗ trợ giao tiếp PCIe 6.0, tiêu chuẩn kết nối SSD mới nhất hiện nay. Kioxia cho biết CM10 mang lại hiệu năng đọc tuần tự cao hơn tới 92% và hiệu năng đọc ngẫu nhiên cao hơn khoảng 85% so với thế hệ trước.

Bên cạnh đó, Kioxia cũng có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ UFS 5.0 dành cho thị trường AI trên thiết bị vào cuối năm 2026. Là tiêu chuẩn lưu trữ nhúng mới nhất được thương mại hóa trong năm nay, UFS 5.0 chủ yếu hướng đến các thiết bị di động. Chuẩn này cung cấp tốc độ xử lý dữ liệu nhanh gần gấp đôi so với UFS 4.1, đồng thời tích hợp bộ điều khiển do Kioxia tự phát triển cùng với bộ nhớ NAND thế hệ thứ tám của hãng.

Samsung tăng tốc lộ trình NAND thế hệ mới

Trong khi đó, các nhà sản xuất bộ nhớ Hàn Quốc, dẫn đầu là Samsung Electronics, cũng đang đẩy mạnh phát triển các giải pháp NAND thế hệ mới. Theo ZDNet, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt ổ SSD doanh nghiệp PM1763 PCIe 6.0 từ tháng trước, sử dụng V-NAND thế hệ thứ chín cùng bộ điều khiển mới sản xuất trên tiến trình 4nm. Samsung cũng đã hoàn tất phát triển bộ nhớ UFS 5.0 vào tháng 6 và dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt trong quý IV năm nay.

Ngoài ra, theo Seoul Economic Daily, Samsung đang tăng lượng cung cấp V-NAND thế hệ thứ chín (V9), dòng sản phẩm chủ lực của hãng, cho NVIDIA, đồng thời bắt đầu sản xuất và giao hàng NAND thế hệ thứ 10 (V10). Song song với đó, công ty cũng đang đẩy nhanh quá trình phát triển NAND thế hệ thứ 11 (V11) với cấu trúc hơn 500 lớp.

SK hynix cũng đang thúc đẩy lộ trình phát triển NAND thế hệ mới. Theo The Elec, công ty dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ 3D NAND 375 lớp vào cuối năm nay sau khi hoàn tất quá trình xác thực sản xuất. Thay vì xây dựng thêm năng lực sản xuất mới, SK hynix sẽ chuyển đổi các dây chuyền hiện có tại nhà máy M15 ở Cheongju từ NAND ít lớp sang quy trình 375 lớp mới.

Báo cáo cũng cho biết SK hynix dự định sử dụng molypden (Mo) cho một phần các điện cực cổng kim loại của word-line, thay thế một số lớp vonfram nhằm giảm điện trở, cải thiện khả năng truyền tín hiệu và hỗ trợ phát triển NAND có mật độ lưu trữ cao hơn.