SK hynix đang đẩy nhanh quá trình chuyển dịch năng lực sản xuất sang 1c DRAM – thế hệ thứ sáu của DRAM 10nm-class, trong bối cảnh nhu cầu đối với bộ nhớ hiệu năng cao cho AI và trung tâm dữ liệu tiếp tục tăng.

Theo các ước tính trong ngành được DIGITIMES và TrendForce dẫn lại, tỷ trọng DRAM sản xuất trên tiến trình 1c của SK hynix có thể tăng mạnh từ 10% trong Q1/2026 lên khoảng 13% trong Q2, 24% trong Q3 và khoảng 34% trong Q4/2026. Sang Q1/2027, tỷ trọng 1c được dự báo đạt khoảng 35%, vượt 1b ở mức khoảng 33% và trở thành tiến trình DRAM chủ đạo của SK hynix.

1c đang nhanh chóng trở thành tiến trình chủ lực

1c là thế hệ thứ sáu trong nhóm tiến trình DRAM 10nm-class, kế nhiệm 1b. Theo các ước tính hiện tại, SK hynix bước vào nửa cuối năm 2026 với tỷ trọng 1c khoảng 13%, thấp hơn Samsung Electronics ở khoảng 16% và Micron khoảng 19%. Tuy nhiên, tốc độ chuyển đổi của SK hynix được dự báo nhanh hơn đáng kể.

Đến Q4/2026, tỷ trọng 1c của SK hynix có thể đạt khoảng 34%, vượt mức khoảng 31% được ước tính cho Samsung.

Điều này có ý nghĩa không chỉ về mặt công nghệ. Việc chuyển sang tiến trình DRAM tiên tiến hơn giúp tăng số lượng bit có thể sản xuất trên cùng một diện tích wafer, từ đó cải thiện năng suất và giảm chi phí trên mỗi bit. Đây là yếu tố đặc biệt quan trọng khi SK hynix đang mở rộng sản xuất các sản phẩm DRAM máy chủ và bộ nhớ AI có giá trị cao.

1c đóng vai trò quan trọng trong thế hệ bộ nhớ AI tiếp theo

SK hynix đã công bố từ năm 2024 rằng công ty sẽ mở rộng 1c sang các dòng DRAM thế hệ mới, bao gồm HBM, LPDDR6 và GDDR7. Công ty cũng cho biết 1c DDR5 có tốc độ 8Gbps, nhanh hơn 11% so với thế hệ trước và cải thiện hiệu quả năng lượng hơn 9%.

Đến tháng 3/2026, SK hynix tiếp tục công bố 1c LPDDR6 16Gb, hướng tới smartphone và tablet tích hợp AI on-device. Công ty cho biết sản phẩm này cải thiện tốc độ xử lý 33% và giảm hơn 20% mức tiêu thụ điện so với LPDDR5X. SK hynix dự kiến bắt đầu cung cấp sản phẩm trong nửa cuối năm 2026.

Đáng chú ý hơn, 1c đang được gắn trực tiếp với chiến lược HBM4E của SK hynix. Theo các nguồn trong ngành, công ty đang chuẩn bị sử dụng 1c làm nền tảng DRAM cho HBM4E, dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2027.

Từ 1b sang 1c: cuộc đua không chỉ nằm ở kích thước

DRAM không sử dụng cách đặt tên node giống với các tiến trình logic như CPU hay GPU. Các nhà sản xuất thường sử dụng các thế hệ “10nm-class” và tiếp tục thu nhỏ cell DRAM bằng những thay đổi về thiết kế, vật liệu và số lớp EUV.

Với SK hynix, 1c được phát triển dựa trên nền tảng 1b, đồng thời tối ưu hóa quy trình EUV và vật liệu mới. Công ty cho biết 1c DDR5 có thể cải thiện năng suất hơn 30% so với thế hệ trước nhờ các đổi mới về thiết kế và quy trình.

Đây là yếu tố ngày càng quan trọng khi việc tiếp tục thu nhỏ DRAM truyền thống trở nên khó khăn hơn.

Sau 1c sẽ là gì?

Việc SK hynix tăng tốc 1c không có nghĩa đây sẽ là điểm cuối của quá trình scaling DRAM.

Khi cấu trúc DRAM phẳng truyền thống tiến gần hơn tới giới hạn vật lý, ngành bộ nhớ đang nghiên cứu những hướng tiếp cận mới, bao gồm 4F² cell architecture, vertical-gate transistor và 3D DRAM.

Tuy nhiên, trong vài năm tới, 1c vẫn sẽ đóng vai trò quan trọng trong danh mục DRAM của SK hynix, đặc biệt khi AI tiếp tục thúc đẩy nhu cầu đối với HBM, server DRAM và các bộ nhớ hiệu năng cao.

Điểm đáng chú ý trong câu chuyện 1c không chỉ là SK hynix đang sử dụng một tiến trình DRAM tiên tiến hơn.

Quan trọng hơn, công ty đang tăng tốc chuyển dịch năng lực sản xuất sang 1c đúng thời điểm nhu cầu AI đang kéo mạnh toàn bộ thị trường bộ nhớ cao cấp.

Nếu các dự báo hiện tại trở thành hiện thực, SK hynix có thể chuyển từ vị trí đi sau Samsung và Micron về tỷ trọng 1c trong đầu năm 2026 sang dẫn đầu về mức độ thâm nhập 1c vào cuối năm. Đây có thể trở thành một lợi thế quan trọng khi cuộc cạnh tranh HBM4E và thế hệ AI memory tiếp theo ngày càng quyết liệt.

Lưu ý: Các tỷ lệ 1c theo từng quý là ước tính từ các nguồn trong ngành, không phải mục tiêu sản xuất hàng quý được SK hynix chính thức công bố.