04/06/2026

Micron dự báo khủng hoảng bộ nhớ AI có thể kéo dài tới 2027

Micron Technology cho rằng thị trường bộ nhớ phục vụ AI sẽ tiếp tục đối mặt tình trạng thiếu hụt nguồn cung trong thời gian dài, khi nhu cầu cho các hệ thống AI hiệu năng cao vẫn tăng mạnh trên toàn cầu.

Theo thông tin được JPMorgan Chase ghi nhận tại Hội nghị Công nghệ, Truyền thông và Viễn thông toàn cầu lần thứ 54 ở Boston, Micron nhận định nguồn cung các dòng bộ nhớ quan trọng cho AI như HBM, DRAM và NAND có thể tiếp tục “căng thẳng” hết năm 2026 và thậm chí kéo dài sang 2027.

Nguyên nhân chính đến từ làn sóng đầu tư AI đang bùng nổ, khiến nhu cầu dành cho GPU AI, máy chủ AI và hạ tầng Data Center tăng mạnh. Các dòng bộ nhớ hiệu năng cao hiện đóng vai trò cốt lõi trong việc cải thiện tốc độ xử lý và khả năng vận hành của các mô hình AI thế hệ mới.

Micron cho biết việc mở rộng công suất sản xuất các dòng bộ nhớ này không hề đơn giản. Các thế hệ HBM mới ngày càng phức tạp hơn khi sử dụng khuôn chip lớn hơn, cấu trúc đóng gói nhiều lớp và yêu cầu công nghệ sản xuất tiên tiến hơn, khiến sản lượng khó tăng nhanh trong ngắn hạn.

Bên cạnh đó, cả Micron và JPMorgan đều nhấn mạnh tầm quan trọng ngày càng lớn của công nghệ quang khắc EUV trong sản xuất DRAM thế hệ mới. Theo Micron, tiến trình DRAM 1-gamma hiện đang trở thành nền tảng sản xuất có sản lượng wafer lớn nhất trong lịch sử công ty nhờ nhu cầu AI tăng mạnh.

HBM hiện là thành phần quan trọng trong các GPU AI hiện đại do sử dụng nhiều lớp DRAM xếp chồng với nhau để đạt băng thông cực cao. Điều này cũng đồng nghĩa nguồn cung DRAM sẽ ảnh hưởng trực tiếp tới khả năng mở rộng sản lượng HBM toàn cầu.

Micron tiết lộ hãng đang tiếp tục tích hợp EUV sâu hơn vào quy trình sản xuất DRAM 1-gamma nhằm nâng hiệu năng và tối ưu hiệu suất sản xuất cho các thế hệ bộ nhớ tiếp theo.

Ở mảng sản phẩm tương lai, Micron cho biết tốc độ nâng sản lượng HBM4 hiện đang diễn ra nhanh gấp đôi so với giai đoạn mở rộng HBM3 trước đây nhờ nhu cầu AI tăng mạnh. Công ty cũng dự kiến HBM4E sẽ bắt đầu bước vào giai đoạn ramp-up trong năm 2027, với các lô mẫu đầu tiên sử dụng mô-đun DRAM sản xuất trên tiến trình 1-gamma.

Không chỉ hưởng lợi ở mảng HBM, Micron cho biết sự gia tăng của AI inference và việc mở rộng “context window” trong các mô hình AI cũng đang thúc đẩy nhu cầu SSD hiệu năng cao cho Data Center.

Theo hãng, thay vì chỉ cung cấp sản phẩm theo cấu hình tiêu chuẩn, Micron hiện đang phối hợp chặt chẽ với khách hàng để phát triển các giải pháp bộ nhớ và lưu trữ được tối ưu riêng cho từng khối lượng công việc AI cụ thể.

Trong bối cảnh AI tiếp tục thúc đẩy cuộc đua hạ tầng công nghệ toàn cầu, thị trường bộ nhớ được dự báo sẽ tiếp tục là một trong những lĩnh vực quan trọng và cạnh tranh nhất của ngành bán dẫn trong nhiều năm tới.