Samsung đang đẩy mạnh kế hoạch mở rộng công suất. Theo ZDNet, công ty dự kiến khởi công vào tháng 9 một nhà máy sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM) mới tại khuôn viên Onyang, tỉnh Chungcheong Nam, Hàn Quốc, với khoản đầu tư 6 nghìn tỷ won. Dự án được phê duyệt sớm hơn một tháng so với kế hoạch sau khi chính quyền tỉnh đơn giản hóa quy trình tham vấn và rà soát hành chính, rút ngắn hơn một tháng thời gian phê duyệt của Ủy ban Quy hoạch Đô thị.

Đáng chú ý, nhà máy mới được xây dựng trên khu đất rộng 389.825 m² trong khuôn viên Onyang cũng sẽ là dự án đầu tiên được triển khai trong số “Ba dự án Mega cho bước tiến lớn của quốc gia” tại Hàn Quốc. Sáng kiến này tập trung vào ba lĩnh vực: bán dẫn, physical AI và trung tâm dữ liệu AI.

Việc mở rộng diễn ra trong bối cảnh Samsung đang đạt tiến triển nhanh chóng trong việc ổn định sản xuất HBM4. Theo Seoul Economic Daily, các nguồn tin cho biết tỷ lệ yield của HBM4 tại Samsung gần đây đã đạt khoảng 80%, tăng từ mức dưới 60% khi bắt đầu sản xuất hàng loạt vào tháng 2.

Khi yield được cải thiện và sản lượng HBM4 tăng lên, Samsung đang đẩy nhanh việc mở rộng công suất trong ngắn hạn tại các khuôn viên Hwaseong và Pyeongtaek nhằm đáp ứng nhu cầu tăng mạnh từ các công ty công nghệ toàn cầu.

Tại Hwaseong, Samsung đã bắt đầu mở rộng công suất sản xuất DRAM phổ thông bằng cách tận dụng không gian cleanroom chưa sử dụng tại tổ hợp H1.

Tại Pyeongtaek, Samsung đang xây dựng dây chuyền DRAM 1c dành cho các sản phẩm HBM mới nhất tại P4, đồng thời tiến hành công tác nền móng cho P5-1 và P5-2.

Theo báo cáo, nguồn cung mới quy mô lớn dự kiến vẫn hạn chế trước năm 2028, bởi các nhà máy bán dẫn mới thường mất hơn 3 năm từ khi xây dựng đến khi bắt đầu xuất xưởng wafer.

Samsung mở rộng Pyeongtaek P5 với thiết kế 3 fab

Bên cạnh nhà máy HBM mới tại Onyang, Samsung cũng đang lên kế hoạch mở rộng đáng kể tại khuôn viên Pyeongtaek.

Theo Business Post, Samsung Electronics gần đây đã nộp đề xuất sửa đổi quy hoạch khu công nghiệp, theo đó nâng hệ số sử dụng đất tối đa từ 350% lên 490%. Điều này cho phép P5-1 và P5-2 áp dụng cấu trúc 3 fab.

Động thái này phản ánh xu hướng chuyển dịch rộng hơn tại Hàn Quốc, từ thiết kế 2 fab sang 3 fab.

Business Post cho biết SK hynix cũng đang lên kế hoạch sử dụng cấu trúc 3 fab cho tất cả các nhà máy mới tại Yongin Semiconductor Cluster. Các nhà máy tương lai của cả Samsung và SK hynix tại những khu công nghiệp ở Yongin cũng được kỳ vọng sẽ áp dụng thiết kế tương tự.

Việc mở rộng sẽ làm tăng đáng kể quy mô và năng lực sản xuất của Samsung tại Pyeongtaek.

Theo Business Post, P5-1 và P5-2 sẽ tạo thành cơ sở sản xuất bán dẫn lớn nhất thế giới nếu xét theo quy mô của từng fab. Công trình bắt đầu được xây dựng từ năm 2022 và dự kiến hoàn thành toàn bộ vào năm 2030.

Các cơ sở này dự kiến sản xuất HBM và các dòng DRAM cao cấp khác, V-NAND thế hệ mới cùng các chip foundry tiên tiến.

P4 của Samsung, hiện đã đi vào vận hành, sử dụng cấu trúc 2 fab với 4 cleanroom trong cùng một tòa nhà.

Nếu đề xuất sửa đổi được phê duyệt, P5 sẽ áp dụng thiết kế 3 fab, có thể bố trí tới 6 cleanroom. Điều này sẽ giúp tăng 50% số lượng cleanroom và nâng công suất sản xuất lên hơn 1,5 lần, theo báo cáo.