28/07/2026
SK hynix có thể chỉ bổ sung 1/6 công suất bộ nhớ theo kế hoạch vào năm 2028
Kế hoạch mở rộng công suất có thể chậm hơn nhiều so với dự kiến
Trước đó, Tổng thống Hàn Quốc Lee Jae Myung đặt mục tiêu tăng gấp đôi năng lực sản xuất bộ nhớ của nước này vào năm 2030. Để hiện thực hóa mục tiêu này, Samsung và SK hynix đang đầu tư xây dựng các nhà máy sản xuất chip quy mô lớn tại Gwangju và Jeolla.
Tuy nhiên, theo phân tích được trích dẫn từ Bank of America, các mục tiêu này được đánh giá là quá lạc quan và khó có thể đạt được trong khung thời gian đề ra.
Sau khi tính đến việc đóng cửa các nhà máy cũ để nâng cấp công nghệ và chuyển sang các quy trình sản xuất tiên tiến hơn, tổng công suất wafer bộ nhớ đang hoạt động của Hàn Quốc dự kiến chỉ tăng dưới 10% mỗi năm. Điều này đồng nghĩa năng lực sản xuất vào năm 2030 sẽ thấp hơn đáng kể so với mục tiêu của chính phủ.
Đáng chú ý, một nguồn tin trong ngành bộ nhớ tại Đài Loan cho biết SK hynix có thể chỉ bổ sung được khoảng 1/6 công suất mới theo kế hoạch ban đầu trước năm 2028.

Xây dựng nhà máy bộ nhớ có thể mất hơn 10 năm
Theo báo cáo, việc xây dựng nền móng cho các nhà máy mới tại Gwangju và Jeolla có thể mất khoảng 5 năm. Sau đó, doanh nghiệp sẽ cần thêm 3 đến 4 năm để hoàn thiện phòng sạch (clean room) và lắp đặt các thiết bị sản xuất chip.
Như vậy, toàn bộ hệ sinh thái sản xuất tại các địa điểm này có thể cần hơn 10 năm để hoàn thiện và đi vào vận hành đầy đủ.
Tiến độ chậm có thể ảnh hưởng đến vụ kiện thao túng giá DRAM
Thông tin về việc mở rộng công suất chậm hơn dự kiến xuất hiện trong bối cảnh Samsung, SK hynix và Micron đang đối mặt với một vụ kiện tập thể tại tòa án liên bang California (Mỹ).
Đơn kiện được đệ trình ngày 25/6, cáo buộc ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn đã thông đồng nhằm kiểm soát nguồn cung và thao túng giá DRAM.
Nguyên đơn cho rằng Samsung, SK hynix và Micron đã tận dụng vị thế thống lĩnh thị trường DRAM toàn cầu để đồng loạt chuyển trọng tâm sang sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM) phục vụ AI. Việc này bị cáo buộc đã làm giảm sản lượng các dòng DRAM truyền thống như DDR3 và DDR4, góp phần đẩy giá bộ nhớ tăng mạnh trong thời gian qua.
Theo bài phân tích, nếu SK hynix thực tế chỉ có thể bổ sung khoảng 1/6 công suất mới vào năm 2028, tiến độ mở rộng sản xuất chậm chạp này có thể khiến các lập luận bảo vệ của nhóm “Big Three” (Samsung, SK hynix và Micron) trong vụ kiện trở nên kém thuyết phục hơn. Tuy nhiên, đây vẫn là nhận định từ phía bài phân tích và chưa phải kết luận của tòa án.
Bài viết liên quan
24/07/2026
Kimi K3 và Qwen 3.8 mở màn cuộc đua AI đa nghìn tỷ tham số giữa Trung Quốc và Mỹ
23/07/2026
NVIDIA chia sẻ chi tiết kiến trúc GPU Rubin và sơ đồ thiết kế trên die
20/07/2026
CXMT tăng tốc DDR6, thách thức Samsung và SK hynix
18/07/2026

