Chỉ một tuần sau khi công bố kế hoạch tăng gấp đôi công suất sản xuất trong vòng 5 năm tới, SK hynix tiếp tục phát đi tín hiệu về một chiến lược mở rộng tham vọng hơn trên cả hai mảng DRAM và NAND.

Theo Nikkei, dẫn lời Chủ tịch Chey Tae-won, SK hynix đặt mục tiêu tăng sản lượng wafer lên gấp 3 lần vào năm 2034. Trong khi đó, The Elec cho biết hãng đang chuẩn bị đưa NAND 375 lớp vào sản xuất hàng loạt trước khi năm 2026 kết thúc.

SK hynix tăng tốc mở rộng công suất DRAM

Theo Nikkei, SK hynix đang xây dựng 4 nhà máy bán dẫn tại Yongin (Hàn Quốc), trong đó nhà máy đầu tiên dự kiến đi vào hoạt động từ đầu năm 2027.

Ban đầu, kế hoạch mở rộng này được triển khai theo lộ trình kéo dài đến năm 2045. Tuy nhiên, tiến độ hiện đã được đẩy nhanh khoảng 10 năm do nhu cầu thị trường tăng mạnh.

Chủ tịch Chey Tae-won cho biết nhu cầu bộ nhớ đang tăng nhanh đến mức ngay cả kế hoạch mở rộng hiện tại cũng có thể chưa đủ để đáp ứng thị trường.

Trước đó, The Elec từng đưa tin SK hynix đặt mục tiêu nâng công suất DRAM từ khoảng 550.000 wafer mỗi tháng hiện nay lên khoảng 1 triệu wafer mỗi tháng vào năm 2030.

Phần lớn công suất mới sẽ đến từ Cụm bán dẫn Yongin. Riêng nhà máy đầu tiên tại đây được kỳ vọng sẽ bổ sung khoảng 360.000 wafer DRAM mỗi tháng trong nửa đầu năm 2030.

Đáng chú ý, Nikkei cho biết sau khi hoàn tất kế hoạch mở rộng trong nước, SK hynix sẽ xem xét xây dựng thêm các cơ sở sản xuất ở nước ngoài, trong đó Nhật Bản được xem là một trong những ứng viên hàng đầu.

Nhật Bản hiện sở hữu hệ sinh thái cung ứng bán dẫn mạnh với nhiều doanh nghiệp vật liệu và thiết bị hàng đầu như Tokyo Electron và JSR, giúp quốc gia này trở thành điểm đến hấp dẫn cho các khoản đầu tư mới.

NAND 375 lớp chuẩn bị bước vào sản xuất hàng loạt

Trong khi thị trường đang tập trung vào NAND BiCS10 332 lớp của Kioxia, dự kiến sản xuất hàng loạt trong năm tài chính 2027, SK hynix được cho là đã hoàn tất quá trình xác thực công nghệ NAND 375 lớp và đang chuẩn bị đưa sản phẩm vào sản xuất hàng loạt trước cuối năm nay.

Theo các nguồn tin trong ngành được The Elec dẫn lại, sản phẩm này trước đây từng được gọi là NAND 400 lớp. Tuy nhiên, do độ phức tạp trong quá trình sản xuất ngày càng tăng khi số lớp xếp chồng cao hơn, công ty đã điều chỉnh xuống còn 375 lớp.

Lộ trình dài hạn của SK hynix vẫn tiếp tục hướng tới các thế hệ NAND 480 lớp và 604 lớp trong tương lai.

Một thay đổi kỹ thuật đáng chú ý trên NAND 375 lớp là việc SK hynix chuyển đổi một phần điện cực cổng điều khiển (word line) từ vật liệu tungsten sang molybdenum.

Theo The Elec, khi số lớp NAND ngày càng tăng, các kết nối bên trong trở nên mỏng hơn, khiến điện trở của tungsten tăng lên và làm giảm tốc độ truyền tín hiệu.

Molybdenum có điện trở thấp hơn trong các cấu trúc siêu nhỏ, giúp cải thiện hiệu năng đọc ghi, tăng tốc độ truyền tín hiệu và hỗ trợ xếp chồng nhiều lớp NAND hơn với hiệu quả cao hơn.

Khoản đầu tư vào Kioxia tiếp tục được chú ý

Bên cạnh hoạt động mở rộng sản xuất, khoản đầu tư của SK hynix vào Kioxia cũng đang thu hút sự quan tâm của thị trường khi giá trị doanh nghiệp NAND hàng đầu Nhật Bản liên tục tăng mạnh.

Theo Newsis, khoản đầu tư trị giá khoảng 4.000 tỷ won mà SK hynix thực hiện từ năm 2018 đang được đánh giá lại trong bối cảnh chu kỳ tăng trưởng mới của thị trường NAND.

Có thời điểm, giá trị phần sở hữu này được ước tính lên tới khoảng 60.000 tỷ won.

Kioxia từng trở thành doanh nghiệp niêm yết lớn thứ hai tại Nhật Bản sau SoftBank Group và thậm chí vượt qua Toyota về vốn hóa thị trường trong một số giai đoạn.

Trong khi đó, theo Hankyung, Chủ tịch Chey Tae-won cho biết SK hynix vẫn đang duy trì các cuộc trao đổi với ban lãnh đạo Kioxia để tìm kiếm những lĩnh vực có thể hợp tác.

Ông nhấn mạnh rằng mặc dù hai bên hoạt động độc lập về quản trị, vẫn có nhiều cơ hội hợp tác trong những lĩnh vực không cạnh tranh trực tiếp.

Tuy nhiên, theo Global Economic, SK hynix hiện bị giới hạn bởi cấu trúc quỹ tín thác đầu tư, khiến công ty không thể tham gia trực tiếp vào hoạt động điều hành của Kioxia.

Chủ tịch Chey cũng lưu ý rằng Kioxia vừa là khoản đầu tư tài chính quan trọng, vừa là đối thủ cạnh tranh trực tiếp của SK hynix trên thị trường NAND, do đó ranh giới cạnh tranh giữa hai bên cần được duy trì rõ ràng.

Sự tăng tốc đồng thời ở cả DRAM và NAND cho thấy SK hynix đang chuẩn bị cho một chu kỳ tăng trưởng mới của ngành bộ nhớ, trong đó AI, trung tâm dữ liệu và hạ tầng điện toán hiệu năng cao tiếp tục là những động lực chính thúc đẩy nhu cầu toàn cầu.